Número do Produto do Fabricante:
TK10E60W,S1VX
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK10E60W,S1VX-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
30 Pcs Novo Original Em Estoque
12890763
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TK10E60W,S1VX Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tube
Série
DTMOSIV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9.7A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.7V @ 500µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
700 pF @ 300 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
TK10E60
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TK10E60W,S1VX(S
TK10E60WS1VX
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXFP12N65X2
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
290
NÚMERO DA PEÇA
IXFP12N65X2-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.73
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
461
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PREÇO UNITÁRIO
1.58
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
600
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PREÇO UNITÁRIO
2.03
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PREÇO UNITÁRIO
1.30
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2.01
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