Número do Produto do Fabricante:
TK10A60E,S5X
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK10A60E,S5X-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 10A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventário:
12890679
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TK10A60E,S5X Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
45W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220SIS
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
TK10A60
Informação Adicional
Outros nomes
TK10A60E,S4X(S
TK10A60ES4X(S-DG
TK10A60ES4X-DG
TK10A60ES5X
TK10A60ES4X
TK10A60E,S5X(M
TK10A60ES4X(S
TK10A60E,S4X
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPAN65R650CEXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
462
NÚMERO DA PEÇA
IPAN65R650CEXKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.43
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
IXTP4N70X2M
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
24
NÚMERO DA PEÇA
IXTP4N70X2M-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.35
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
TK750A60F,S4X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
893
NÚMERO DA PEÇA
TK750A60F,S4X-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.65
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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