TK099V65Z,LQ

Número do Produto do Fabricante:

TK099V65Z,LQ

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Número da Peça:

TK099V65Z,LQ-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN

Descrição Detalhada:

N-Channel 650 V 30A (Ta) 230W (Tc) Surface Mount 5-DFN (8x8)

Inventário:

14824 Pcs Novo Original Em Estoque

13271133

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TK099V65Z,LQ Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Série

DTMOSVI

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

650 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

30A (Ta)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

99mOhm @ 15A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

4V @ 1.27mA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

47 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

2780 pF @ 300 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

230W (Tc)

Temperatura de operação

150°C

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

5-DFN (8x8)

Pacote / Estojo

4-VSFN Exposed Pad

Número do produto base

TK099V65

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes

264-TK099V65ZLQTR

264-TK099V65ZLQDKR

264-TK099V65ZLQCT

TK099V65Z,LQ(S

Pacote padrão

2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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