Número do Produto do Fabricante:
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TJ30S06M3L(T6L1,NQ-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 30A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventário:
2000 Pcs Novo Original Em Estoque
12889546
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TJ30S06M3L(T6L1,NQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVI
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+10V, -20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3950 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
68W (Tc)
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DPAK+
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
TJ30S06
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
264-TJ30S06M3L(T6L1NQTR
TJ30S06M3L(T6L1NQ-DG
264-TJ30S06M3L(T6L1,NQTR-DG
TJ30S06M3LT6L1NQ
TJ30S06M3L(T6L1NQ
264-TJ30S06M3L(T6L1,NQTR
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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