Número do Produto do Fabricante:
T2N7002AK,LM
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
T2N7002AK,LM-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventário:
611252 Pcs Novo Original Em Estoque
12891382
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T2N7002AK,LM Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVII-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
0.35 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
17 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
320mW (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23-3
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número do produto base
T2N7002
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
T2N7002AKLM(BDKR-DG
T2N7002AK,LM(T
T2N7002AKLM(BTR
T2N7002AK,LM(B
T2N7002AKLM(BDKR
T2N7002AKLM(BCT-DG
T2N7002AKLM(BCT
T2N7002AKLMCT
T2N7002AKLMDKR
T2N7002AKLMTR
T2N7002AKLM(BTR-DG
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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