Número do Produto do Fabricante:
SSM6N61NU,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
SSM6N61NU,LF-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6UDFNB
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 20V 4A 2W Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Inventário:
3000 Pcs Novo Original Em Estoque
12890035
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SSM6N61NU,LF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
3.6nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
410pF @ 10V
Potência - Máx.
2W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
6-WDFN Exposed Pad
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-UDFNB (2x2)
Número do produto base
SSM6N61
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SSM6N61NU,LF(T
SSM6N61NULFTR-DG
SSM6N61NULFDKR
SSM6N61NU,LF(B
SSM6N61NULFCT
SSM6N61NULFCT-DG
264-SSM6N61NU,LFDKR
264-SSM6N61NU,LFTR
264-SSM6N61NU,LFCT
SSM6N61NULFTR
SSM6N61NULFDKR-DG
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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