Número do Produto do Fabricante:
SSM6N55NU,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
SSM6N55NU,LF-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 30V 4A 1W Surface Mount 6-µDFN (2x2)
Inventário:
485 Pcs Novo Original Em Estoque
12890300
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SSM6N55NU,LF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
46mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 100µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
280pF @ 15V
Potência - Máx.
1W
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
6-WDFN Exposed Pad
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-µDFN (2x2)
Número do produto base
SSM6N55
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SSM6N55NULF(TDKR-DG
SSM6N55NULF(TDKR
SSM6N55NULF(TCT
264-SSM6N55NU,LFCT
264-SSM6N55NU,LFDKR
SSM6N55NULFTR
SSM6N55NU,LF(B
264-SSM6N55NU,LFTR
SSM6N55NULF
SSM6N55NULFDKR-DG
SSM6N55NULF(TTR
SSM6N55NULFCT-DG
SSM6N55NULFTR-DG
SSM6N55NU,LF(T
SSM6N55NULF(TCT-DG
SSM6N55NULFCT
SSM6N55NULFDKR
SSM6N55NULF(TTR-DG
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
PMDPB56XNEAX
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
45991
NÚMERO DA PEÇA
PMDPB56XNEAX-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.12
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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