Número do Produto do Fabricante:
SSM6N16FE,L3F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
SSM6N16FE,L3F-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A ES6
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount ES6
Inventário:
7720 Pcs Novo Original Em Estoque
12889461
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ENVIAR
SSM6N16FE,L3F Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (máx) @ id
1.1V @ 100µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9.3pF @ 3V
Potência - Máx.
150mW (Ta)
Temperatura de operação
150°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SOT-563, SOT-666
Pacote de dispositivos do fornecedor
ES6
Número do produto base
SSM6N16
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SSM6N16FE,L3F(B
SSM6N16FEL3FCT
SSM6N16FEL3FTR
SSM6N16FEL3FDKR
Pacote padrão
8,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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