Número do Produto do Fabricante:
SSM6K411TU(TE85L,F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
SSM6K411TU(TE85L,F-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 10A UF6
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount UF6
Inventário:
12889385
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SSM6K411TU(TE85L,F Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
U-MOSIV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.2V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
710 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
UF6
Pacote / Estojo
6-SMD, Flat Leads
Número do produto base
SSM6K411
Informação Adicional
Outros nomes
SSM6K411TU(TE85LFCT
SSM6K411TU(TE85LFTR
SSM6K411TU(TE85LFDKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
RF4E110GNTR
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
6586
NÚMERO DA PEÇA
RF4E110GNTR-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.14
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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Certificação DIGI
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