SSM6J53FE(TE85L,F)
Número do Produto do Fabricante:

SSM6J53FE(TE85L,F)

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Número da Peça:

SSM6J53FE(TE85L,F)-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6

Inventário:

12890473
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SSM6J53FE(TE85L,F) Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
136mOhm @ 1A, 2.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10.6 nC @ 4 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
568 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
ES6
Pacote / Estojo
SOT-563, SOT-666
Número do produto base
SSM6J53

Informação Adicional

Outros nomes
SSM6J53FE(TE85LF)CT
SSM6J53FE(TE85LF)TR
SSM6J53FETE85LF
SSM6J53FE(TE85LF)DKR
Pacote padrão
4,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
NTZS3151PT1G
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
17660
NÚMERO DA PEÇA
NTZS3151PT1G-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.07
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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