Número do Produto do Fabricante:
SSM6J501NU,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
SSM6J501NU,LF-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Inventário:
106283 Pcs Novo Original Em Estoque
12889406
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ENVIAR
SSM6J501NU,LF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVI
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.3mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
29.9 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2600 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-UDFNB (2x2)
Pacote / Estojo
6-WDFN Exposed Pad
Número do produto base
SSM6J501
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SSM6J501NULF(TTR
SSM6J501NU,LF(B
SSM6J501NULF(TDKR
SSM6J501NULFCT
SSM6J501NU,LF(A
SSM6J501NULF
SSM6J501NULF(TDKR-DG
SSM6J501NULF(TCT
SSM6J501NULFDKR
SSM6J501NULF(TTR-DG
SSM6J501NU,LF(T
SSM6J501NULF(TCT-DG
SSM6J501NULFTR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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