Número do Produto do Fabricante:
SSM3K2615TU,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
SSM3K2615TU,LF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 2A UFM
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount UFM
Inventário:
8759 Pcs Novo Original Em Estoque
12890828
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SSM3K2615TU,LF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
π-MOSV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
3.3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
150 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
800mW (Ta)
Temperatura de operação
150°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
UFM
Pacote / Estojo
3-SMD, Flat Leads
Número do produto base
SSM3K2615
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SSM3K2615TULFDKR
SSM3K2615TU,LF(B
SSM3K2615TULFCT
SSM3K2615TULFTR
SSM3K2615TULF
SSM3K2615TULF(B
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
TK11P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK
TK50P03M1(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 30V 50A DP
TK46A08N1,S4X
MOSFET N-CH 80V 46A TO220SIS
