Número do Produto do Fabricante:
SSM3J56MFV,L3F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
SSM3J56MFV,L3F-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Inventário:
388333 Pcs Novo Original Em Estoque
12889271
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ENVIAR
SSM3J56MFV,L3F Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVI
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
800mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
390mOhm @ 800mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
-
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
100 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
150mW (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
VESM
Pacote / Estojo
SOT-723
Número do produto base
SSM3J56
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SSM3J56MFVL3F(TTR
SSM3J56MFVL3F(TDKR
SSM3J56MFVL3F(TTR-DG
SSM3J56MFVL3FT
SSM3J56MFVL3F(TCT
SSM3J56MFVL3FCT
SSM3J56MFVL3F(TCT-DG
SSM3J56MFVL3F(TDKR-DG
SSM3J56MFVL3FDKR
SSM3J56MFVL3FTR
SSM3J56MFV,L3F(T
SSM3J56MFV,L3F(B
Pacote padrão
8,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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