SSM3J56ACT,L3F
Número do Produto do Fabricante:

SSM3J56ACT,L3F

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Número da Peça:

SSM3J56ACT,L3F-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3

Inventário:

40754 Pcs Novo Original Em Estoque
12889228
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SSM3J56ACT,L3F Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVI
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
390mOhm @ 800mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
100 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de operação
150°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
CST3
Pacote / Estojo
SC-101, SOT-883
Número do produto base
SSM3J56

Informação Adicional

Outros nomes
SSM3J56ACTL3FDKR
SSM3J56ACTL3FTR
SSM3J56ACTL3FCT
SSM3J56ACT,L3F(T
SSM3J56ACT,L3F(B
Pacote padrão
10,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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