Número do Produto do Fabricante:
SSM3J35AMFV,L3F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
SSM3J35AMFV,L3F-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Inventário:
48370 Pcs Novo Original Em Estoque
12890401
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SSM3J35AMFV,L3F Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVII
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
250mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 100µA
Vgs (máx.)
±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
42 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
150mW (Ta)
Temperatura de operação
150°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
VESM
Pacote / Estojo
SOT-723
Número do produto base
SSM3J35
Informação Adicional
Outros nomes
SSM3J35AMFVL3FDKR
SSM3J35AMFVL3F
SSM3J35AMFVL3F(B
SSM3J35AMFV,L3F(B
SSM3J35AMFVL3FTR
SSM3J35AMFV,L3F(T
SSM3J35AMFVL3FCT
Pacote padrão
8,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
DMG3415UFY4-7
MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3
SSM3J35AFS,LF
MOSFET P-CH 20V 250MA SSM
TPC6010-H(TE85L,FM
MOSFET N-CH 60V 6.1A VS-6
