RN2422TE85LF
Número do Produto do Fabricante:

RN2422TE85LF

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Número da Peça:

RN2422TE85LF-DG

Descrição:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 800 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini

Inventário:

4309 Pcs Novo Original Em Estoque
12891167
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RN2422TE85LF Especificações Técnicas

Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pré-Biasados Simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
800 mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50 V
Resistor - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)
2.2 kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
65 @ 100mA, 1V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 50mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
500nA
Frequência - Transição
200 MHz
Potência - Máx.
200 mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
S-Mini
Número do produto base
RN2422

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
RN2422(TE85L,F)
RN2422TE85LF-DG
264-RN2422TE85LFCT
264-RN2422TE85LFTR
264-RN2422TE85LFDKR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificação DIGI
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