Número do Produto do Fabricante:
RN2117(TE85L,F)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
RN2117(TE85L,F)-DG
Descrição:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventário:
2930 Pcs Novo Original Em Estoque
13275879
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
RN2117(TE85L,F) Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pré-Biasados Simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100 mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50 V
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)
4.7 kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
500nA
Frequência - Transição
200 MHz
Potência - Máx.
100 mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SC-75, SOT-416
Pacote de dispositivos do fornecedor
SSM
Número do produto base
RN2117
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
264-RN2117(TE85LF)TR
264-RN2117(TE85LF)DKR
264-RN2117(TE85LF)CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
RN1413,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI
RN2105MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
RN1107MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM