Número do Produto do Fabricante:
RN2109ACT(TPL3)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
RN2109ACT(TPL3)-DG
Descrição:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Inventário:
9900 Pcs Novo Original Em Estoque
12889310
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RN2109ACT(TPL3) Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pré-Biasados Simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Cut Tape (CT)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
80 mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50 V
Resistor - Base (R1)
47 kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)
22 kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
500nA
Potência - Máx.
100 mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SC-101, SOT-883
Pacote de dispositivos do fornecedor
CST3
Número do produto base
RN2109
Informação Adicional
Outros nomes
RN2109ACT(TPL3)TR
RN2109ACT(TPL3)CT
RN2109ACT(TPL3)DKR
Pacote padrão
10,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
MUN5137T1G
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
MUN5137T1G-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.01
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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