Número do Produto do Fabricante:
RN1961FE(TE85L,F)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
RN1961FE(TE85L,F)-DG
Descrição:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventário:
12891640
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RN1961FE(TE85L,F) Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Conjuntos de Transistores Bipolares, Pré-Biasados
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo de transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50V
Resistor - Base (R1)
4.7kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)
4.7kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
100nA (ICBO)
Frequência - Transição
250MHz
Potência - Máx.
100mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SOT-563, SOT-666
Pacote de dispositivos do fornecedor
ES6
Número do produto base
RN1961
Informação Adicional
Outros nomes
RN1961FE(TE85LF)DKR
RN1961FE(TE85LF)TR
RN1961FE(TE85LF)CT
RN1961FETE85LF
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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