RN1710JE(TE85L,F)
Número do Produto do Fabricante:

RN1710JE(TE85L,F)

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Número da Peça:

RN1710JE(TE85L,F)-DG

Descrição:

NPN X 2 BRT Q1BSR=4.7KOHM Q1BER=
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV

Inventário:

3863 Pcs Novo Original Em Estoque
13275908
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RN1710JE(TE85L,F) Especificações Técnicas

Categoria
Bipolar (BJT), Conjuntos de Transistores Bipolares, Pré-Biasados
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50V
Resistor - Base (R1)
4.7kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)
-
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
100nA (ICBO)
Frequência - Transição
250MHz
Potência - Máx.
100mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SOT-553
Pacote de dispositivos do fornecedor
ESV
Número do produto base
RN1710

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
264-RN1710JE(TE85LF)DKR
264-RN1710JE(TE85LF)CT
264-RN1710JE(TE85LF)TR
Pacote padrão
4,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificação DIGI
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