RN1117(TE85L,F)
Número do Produto do Fabricante:

RN1117(TE85L,F)

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Número da Peça:

RN1117(TE85L,F)-DG

Descrição:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM

Inventário:

898 Pcs Novo Original Em Estoque
13275864
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RN1117(TE85L,F) Especificações Técnicas

Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pré-Biasados Simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100 mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50 V
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)
4.7 kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
500nA
Frequência - Transição
250 MHz
Potência - Máx.
100 mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SC-75, SOT-416
Pacote de dispositivos do fornecedor
SSM
Número do produto base
RN1117

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
264-RN1117(TE85LF)DKR
264-RN1117(TE85LF)TR
264-RN1117(TE85LF)CT
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificação DIGI
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