Número do Produto do Fabricante:
RN1117(T5L,F,T)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
RN1117(T5L,F,T)-DG
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventário:
12889759
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RN1117(T5L,F,T) Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pré-Biasados Simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Discontinued at Digi-Key
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100 mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50 V
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)
4.7 kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
500nA
Frequência - Transição
250 MHz
Potência - Máx.
100 mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SC-75, SOT-416
Pacote de dispositivos do fornecedor
SSM
Número do produto base
RN1117
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
RN1117 (T5L,F,T)
RN1117(T5LFT)TR
RN1117(T5LFT)CT
RN1117T5LFT
RN1117(T5LFT)DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
DDTC114WE-7-F
FABRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
DDTC114WE-7-F-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.03
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
RN1117MFV,L3F
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
RN1117MFV,L3F-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.02
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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Certificação DIGI
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