Número do Produto do Fabricante:
RN1112(T5L,F,T)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
RN1112(T5L,F,T)-DG
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventário:
12890901
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RN1112(T5L,F,T) Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pré-Biasados Simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100 mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50 V
Resistor - Base (R1)
22 kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
100nA (ICBO)
Frequência - Transição
250 MHz
Potência - Máx.
100 mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SC-75, SOT-416
Pacote de dispositivos do fornecedor
SSM
Número do produto base
RN1112
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
RN1112(T5LFT)CT
RN1112(T5LFT)DKR
RN1112(T5LFT)TR
RN1112T5LFT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificação DIGI
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