Número do Produto do Fabricante:
RN1111,LXHF(CT
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
RN1111,LXHF(CT-DG
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventário:
6000 Pcs Novo Original Em Estoque
12973161
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RN1111,LXHF(CT Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pré-Biasados Simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100 mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50 V
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
100nA (ICBO)
Frequência - Transição
250 MHz
Potência - Máx.
100 mW
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SC-75, SOT-416
Pacote de dispositivos do fornecedor
SSM
Número do produto base
RN1111
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
264-RN1111,LXHF(CTTR
264-RN1111LXHF(CTTR
264-RN1111,LXHF(CTDKR
264-RN1111LXHF(CTDKR-DG
264-RN1111,LXHF(CT
264-RN1111LXHF(CTTR-DG
264-RN1111LXHF(CTDKR
264-RN1111LXHF(CT
264-RN1111LXHF(CT-DG
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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