HN4C51J(TE85L,F)
Número do Produto do Fabricante:

HN4C51J(TE85L,F)

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Número da Peça:

HN4C51J(TE85L,F)-DG

Descrição:

TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Common Base 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV

Inventário:

6983 Pcs Novo Original Em Estoque
12891919
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HN4C51J(TE85L,F) Especificações Técnicas

Categoria
Bipolar (BJT), Arranjos de Transistores Bipolares
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
2 NPN (Dual) Common Base
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
120V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
100nA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Potência - Máx.
300mW
Frequência - Transição
100MHz
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SC-74A, SOT-753
Pacote de dispositivos do fornecedor
SMV
Número do produto base
HN4C51

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
HN4C51J (TE85LF)
HN4C51JTE85LF
HN4C51J(TE85LF)DKR
HN4C51J(TE85LF)CT
HN4C51J (TE85L,F)
HN4C51J(TE85LF)TR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificação DIGI
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