Número do Produto do Fabricante:
HN4B102J(TE85L,F)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
HN4B102J(TE85L,F)-DG
Descrição:
PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 1.8A, 2A 750mW Surface Mount SMV
Inventário:
2900 Pcs Novo Original Em Estoque
12988801
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
HN4B102J(TE85L,F) Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Arranjos de Transistores Bipolares
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN, PNP
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
1.8A, 2A
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
30V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
100nA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 200mA, 2V
Potência - Máx.
750mW
Frequência - Transição
-
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SC-74A, SOT-753
Pacote de dispositivos do fornecedor
SMV
Número do produto base
HN4B102
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
264-HN4B102J(TE85LF)TR
264-HN4B102J(TE85LF)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)DKR
264-HN4B102J(TE85L,F)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)TR
264-HN4B102J(TE85L,F)CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
ULN2803CDWR
50-V, EIGHT-CHANNEL DARLINGTON A
SBC846BDW1T1G-M01
SBC846BDW1T1G-M01
CMLT3474 TR
TRANS NPN/PNP 25V 1A SOT563
