Número do Produto do Fabricante:
HN3C51F-GR(TE85L,F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
HN3C51F-GR(TE85L,F-DG
Descrição:
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventário:
12889166
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HN3C51F-GR(TE85L,F Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Arranjos de Transistores Bipolares
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo de transistor
2 NPN (Dual)
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
120V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
100nA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Potência - Máx.
300mW
Frequência - Transição
100MHz
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SC-74, SOT-457
Pacote de dispositivos do fornecedor
SM6
Número do produto base
HN3C51
Informação Adicional
Outros nomes
HN3C51FGR(TE85LFTR
HN3C51F-GR(TE85LF)CT-DG
HN3C51F-GR(TE85LF)TR-DG
HN3C51F-GR(TE85LFDKR
HN3C51F-GR(TE85LF)TR
HN3C51F-GR(TE85LFTR
HN3C51F-GR(TE85L,F)
HN3C51FGR(TE85LFTR-DG
HN3C51F-GRTE85LF
HN3C51F-GR(TE85LFCT
HN3C51F-GR(TE85LF)CT
HN3C51F-GR(TE85LF)DKR
HN3C51F-GR(TE85LF)DKR-DG
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificação DIGI
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