Número do Produto do Fabricante:
HN3C10FUTE85LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
HN3C10FUTE85LF-DG
Descrição:
RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
Descrição Detalhada:
RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6
Inventário:
101 Pcs Novo Original Em Estoque
12890009
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HN3C10FUTE85LF Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores RF Bipolares
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Cut Tape (CT)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
2 NPN (Dual)
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
12V
Frequência - Transição
7GHz
Figura de ruído (dB Typ @ f)
1.1dB @ 1GHz
Ganhar
11.5dB
Potência - Máx.
200mW
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 20mA, 10V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
80mA
Temperatura de operação
-
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de dispositivos do fornecedor
US6
Número do produto base
HN3C10
Informação Adicional
Outros nomes
HN3C10FUTE85LFTR
HN3C10FUTE85LFCT
HN3C10FUTE85LFDKR
HN3C10FU(TE85L,F)
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
BFS483H6327XTSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
48371
NÚMERO DA PEÇA
BFS483H6327XTSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.23
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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