HN1C01FYTE85LF
Número do Produto do Fabricante:

HN1C01FYTE85LF

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Número da Peça:

HN1C01FYTE85LF-DG

Descrição:

TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 300mW Surface Mount SM6

Inventário:

12889413
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HN1C01FYTE85LF Especificações Técnicas

Categoria
Bipolar (BJT), Arranjos de Transistores Bipolares
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
2 NPN (Dual)
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
150mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
100nA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Potência - Máx.
300mW
Frequência - Transição
80MHz
Temperatura de operação
125°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SC-74, SOT-457
Pacote de dispositivos do fornecedor
SM6
Número do produto base
HN1C01

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
HN1C01FYTE85LFTR
HN1C01F-Y (TE85L,F)
HN1C01FYTE85LFCT
HN1C01F-Y(TE85L,F)
HN1C01FYTE85LFDKR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
IMX1T110
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
30361
NÚMERO DA PEÇA
IMX1T110-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.06
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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