Número do Produto do Fabricante:
HN1C01FE-GR,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
HN1C01FE-GR,LF-DG
Descrição:
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventário:
3998 Pcs Novo Original Em Estoque
12891386
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Quantidade
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ENVIAR
HN1C01FE-GR,LF Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Arranjos de Transistores Bipolares
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
2 NPN (Dual)
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
150mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
100nA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Potência - Máx.
100mW
Frequência - Transição
80MHz
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SOT-563, SOT-666
Pacote de dispositivos do fornecedor
ES6
Número do produto base
HN1C01
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
HN1C01FE-GRLFTR
264-HN1C01FE-GR,LFDKR
264-HN1C01FE-GR,LFCT
HN1C01FE-GRLFDKR-DG
HN1C01FE-GR,LF(B
HN1C01FE-GR(5LFTTR
HN1C01FE-GR (5L,F,T
HN1C01FE-GRLFCT
264-HN1C01FE-GR,LFTR
HN1C01FE-GRLFCT-DG
HN1C01FE-GRLFTR-DG
HN1C01FE-GR(5LFTDKR-DG
HN1C01FE-GR(5L,F,T
HN1C01FE-GR,LF(T
HN1C01FE-GRLFDKR
HN1C01FE-GR(5LFTDKR
HN1C01FE-GR(5LFTCT-DG
HN1C01FE-GR(5LFTCT
HN1C01FE-GR(5LFTTR-DG
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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