Número do Produto do Fabricante:
HN1B01FU-Y(L,F,T)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
HN1B01FU-Y(L,F,T)-DG
Descrição:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 120MHz 200mW Surface Mount US6
Inventário:
12891097
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HN1B01FU-Y(L,F,T) Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Arranjos de Transistores Bipolares
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN, PNP
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
150mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
100nA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Potência - Máx.
200mW
Frequência - Transição
120MHz
Temperatura de operação
125°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de dispositivos do fornecedor
US6
Número do produto base
HN1B01
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
HN1B01FU-Y(LFT)DKR
HN1B01FU-Y(LFT)CT
HN1B01FU-Y(LFT)TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
UMZ1NTR
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
109445
NÚMERO DA PEÇA
UMZ1NTR-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.05
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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