Número do Produto do Fabricante:
HN1B01FU-GR,LXHF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
HN1B01FU-GR,LXHF-DG
Descrição:
AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor Array 50V 150mA 120MHz, 150MHz 200mW Surface Mount US6
Inventário:
5968 Pcs Novo Original Em Estoque
12996534
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ENVIAR
HN1B01FU-GR,LXHF Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Arranjos de Transistores Bipolares
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
-
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
150mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
100nA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Potência - Máx.
200mW
Frequência - Transição
120MHz, 150MHz
Temperatura de operação
-
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de dispositivos do fornecedor
US6
Número do produto base
HN1B01
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
264-HN1B01FU-GR,LXHFDKR-DG
264-HN1B01FU-GR,LXHFDKR
264-HN1B01FU-GRLXHFCT
264-HN1B01FU-GRLXHFTR
264-HN1B01FU-GR,LXHFTR
264-HN1B01FU-GRLXHFDKR
264-HN1B01FU-GR,LXHFCT
264-HN1B01FU-GR,LXHFCT-DG
264-HN1B01FU-GR,LXHFTR-DG
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificação DIGI
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