Número do Produto do Fabricante:
2SD1407A-Y(F)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
2SD1407A-Y(F)-DG
Descrição:
TRANS NPN 100V 5A TO220NIS
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 5 A 12MHz 30 W Through Hole TO-220NIS
Inventário:
12891164
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2SD1407A-Y(F) Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo de transistor
NPN
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
5 A
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
100 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
2V @ 400mA, 4A
Corrente - Corte do coletor (máx.)
100µA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1A, 5V
Potência - Máx.
30 W
Frequência - Transição
12MHz
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220NIS
Número do produto base
2SD1407
Informação Adicional
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
MJF31CG
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
231
NÚMERO DA PEÇA
MJF31CG-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.44
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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