Número do Produto do Fabricante:
2SC3665-Y,T2F(J
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
2SC3665-Y,T2F(J-DG
Descrição:
TRANS NPN 120V 0.8A MSTM
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 800 mA 120MHz 1 W Through Hole MSTM
Inventário:
12890296
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2SC3665-Y,T2F(J Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo de transistor
NPN
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
800 mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
120 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
100nA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 100mA, 5V
Potência - Máx.
1 W
Frequência - Transição
120MHz
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
SC-71
Pacote de dispositivos do fornecedor
MSTM
Número do produto base
2SC3665
Informação Adicional
Outros nomes
2SC3665YT2FJ
2SC3665-YT2F(J
Pacote padrão
1
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
2SC2881-Y(TE12L,ZC
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
4386
NÚMERO DA PEÇA
2SC2881-Y(TE12L,ZC-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.13
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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