Número do Produto do Fabricante:
2SA1955FVBTPL3Z
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
2SA1955FVBTPL3Z-DG
Descrição:
TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 12 V 400 mA 130MHz 100 mW Surface Mount VESM
Inventário:
2695 Pcs Novo Original Em Estoque
12889632
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2SA1955FVBTPL3Z Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo de transistor
PNP
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
400 mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
12 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 200mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
100nA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
300 @ 10mA, 2V
Potência - Máx.
100 mW
Frequência - Transição
130MHz
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SOT-723
Pacote de dispositivos do fornecedor
VESM
Número do produto base
2SA1955
Informação Adicional
Outros nomes
2SA1955FV-B(TPL3,Z
2SA1955FVBTPL3ZDKR
2SA1955FVBTPL3ZCT
2SA1955FVBTPL3ZTR
Pacote padrão
8,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
2SA2030T2L
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
2SA2030T2L-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.10
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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