Número do Produto do Fabricante:
2SA1930(LBS2MATQ,M
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
2SA1930(LBS2MATQ,M-DG
Descrição:
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventário:
12890736
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2SA1930(LBS2MATQ,M Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo de transistor
PNP
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
2 A
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
180 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
1V @ 100mA, 1A
Corrente - Corte do coletor (máx.)
5µA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Potência - Máx.
2 W
Frequência - Transição
200MHz
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220NIS
Número do produto base
2SA1930
Informação Adicional
Outros nomes
2SA1930(LBS2MATQM
2SA1930LBS2MATQM
Pacote padrão
1
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificação DIGI
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