Número do Produto do Fabricante:
2SA1312GRTE85LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
2SA1312GRTE85LF-DG
Descrição:
TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 100 mA 100MHz 150 mW Surface Mount S-Mini
Inventário:
12891029
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2SA1312GRTE85LF Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
PNP
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100 mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
120 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
100nA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Potência - Máx.
150 mW
Frequência - Transição
100MHz
Temperatura de operação
125°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
S-Mini
Número do produto base
2SA1312
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
Q11724728
2SA1312-GR(TE85L,F
2SA1312GRTE85LFDKR
2SA1312GRTE85LFTR
2SA1312GRTE85LFCT
2SA1312-GR (TE85L,F
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
2SA1163-GR,LF
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
19181
NÚMERO DA PEÇA
2SA1163-GR,LF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.03
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
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