Número do Produto do Fabricante:
TPS1101DR
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
DiGi Electronics Número da Peça:
TPS1101DR-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
Descrição Detalhada:
P-Channel 15 V 2.3A (Ta) 791mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventário:
12816372
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TPS1101DR Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
15 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
11.25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+2V, -15V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
791mW (Ta)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
TPS1101
Folha de Dados & Documentos
Página do produto do fabricante
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TPS1101DRG4
TPS1101DRG4-DG
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FDS6375
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2121
NÚMERO DA PEÇA
FDS6375-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.32
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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