Número do Produto do Fabricante:
CSD85312Q3E
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
DiGi Electronics Número da Peça:
CSD85312Q3E-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Inventário:
8301 Pcs Novo Original Em Estoque
12817111
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CSD85312Q3E Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Texas Instruments
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
NexFET™
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual) Common Source
Recurso FET
Logic Level Gate, 5V Drive
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.4mOhm @ 10A, 8V
vgs(th) (máx) @ id
1.4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15.2nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2390pF @ 10V
Potência - Máx.
2.5W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-VSON (3.3x3.3)
Número do produto base
CSD85312
Folha de Dados & Documentos
Página do produto do fabricante
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
-CSD85312Q3E-NDR
TEXTISCSD85312Q3E
2156-CSD85312Q3E
296-37187-6
296-37187-1
296-37187-2
-296-37187-1
-296-37187-1-DG
CSD85312Q3E-DG
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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