Número do Produto do Fabricante:
CSD25501F3
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
DiGi Electronics Número da Peça:
CSD25501F3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 3.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-LGA (0.73x0.64)
Inventário:
14210 Pcs Novo Original Em Estoque
12802172
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
CSD25501F3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
FemtoFET™
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
76mOhm @ 400mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.05V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
1.33 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
-20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
385 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
3-LGA (0.73x0.64)
Pacote / Estojo
3-XFLGA
Número do produto base
CSD25501
Folha de Dados & Documentos
Página do produto do fabricante
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
CSD25501F3-DG
296-51017-6
296-51017-1
296-51017-2
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IPA60R360P7XKSA1
MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220
BSS159NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
AUIRFR4620TRL
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK