Número do Produto do Fabricante:
CSD19538Q2T
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
DiGi Electronics Número da Peça:
CSD19538Q2T-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 13.1A (Tc) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) Surface Mount 6-WSON (2x2)
Inventário:
4287 Pcs Novo Original Em Estoque
12789544
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CSD19538Q2T Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
NexFET™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
13.1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.8V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
454 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-WSON (2x2)
Pacote / Estojo
6-WDFN Exposed Pad
Número do produto base
CSD19538
Folha de Dados & Documentos
Página do produto do fabricante
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
296-44612-1
296-44612-2
296-44612-6
Pacote padrão
250
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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