Número do Produto do Fabricante:
CSD19531Q5A
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
DiGi Electronics Número da Peça:
CSD19531Q5A-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Inventário:
5285 Pcs Novo Original Em Estoque
12795013
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
CSD19531Q5A Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
NexFET™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.4mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3870 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-VSONP (5x6)
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
CSD19531
Folha de Dados & Documentos
Página do produto do fabricante
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
-CSD19531Q5AINACTIVE
296-41232-2
296-41232-1
CSD19531Q5A-DG
296-41232-6
-CSD19531Q5A-NDR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
CSD13385F5
MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
CSD17501Q5A
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
CSD18509Q5BT
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
