Número do Produto do Fabricante:
CSD19531KCS
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
DiGi Electronics Número da Peça:
CSD19531KCS-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 100A (Ta) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
163 Pcs Novo Original Em Estoque
12794240
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CSD19531KCS Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalagem
Tube
Série
NexFET™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.7mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3870 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
214W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
CSD19531
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
-CSD19531KCS-NDR
2156-CSD19531KCS
-296-37480-5-DG
296-37480-5
TEXTISCSD19531KCS
296-37480-5-NDR
CSD19531KCS-DG
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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