Número do Produto do Fabricante:
CSD18563Q5A-P
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
DiGi Electronics Número da Peça:
CSD18563Q5A-P-DG
Descrição:
60-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 15A (Ta), 93A (Tc) 3.2W (Ta), 116W (Tc) Surface Mount 8-VSON (5x6)
Inventário:
12996133
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
CSD18563Q5A-P Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalagem
-
Série
NexFET™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
15A (Ta), 93A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.2W (Ta), 116W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-VSON (5x6)
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
CSD18563
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
296-CSD18563Q5A-PTR
Pacote padrão
1
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
CSD16323Q3T
PROTOTYPE
AOK065V65X2
MOSFET N-CH 650V 40.3A TO247
PSMN4R8-100YSEX
PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS
