CSD18535KTTT
Número do Produto do Fabricante:

CSD18535KTTT

Product Overview

Fabricante:

Texas Instruments

DiGi Electronics Número da Peça:

CSD18535KTTT-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 200A (Ta), 279A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)

Inventário:

1002 Pcs Novo Original Em Estoque
12795994
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

CSD18535KTTT Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
NexFET™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
200A (Ta), 279A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6620 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (DDPAK-3)
Pacote / Estojo
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Número do produto base
CSD18535

Folha de Dados & Documentos

Página do produto do fabricante
Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
296-44121-2
296-44121-1
296-44121-6
CSD18535KTTT-DG
Pacote padrão
50

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
2 (1 Year)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
texas-instruments

CSD17484F4T

MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR

microchip-technology

DN1509K1-G

MOSFET N-CH 90V 200MA SOT23-5

microchip-technology

LND150N8-G

MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3

maxlinear

XR46000ESE

MOSFET N-CH 600V 1.5A SOT223