CSD18511KTTT
Número do Produto do Fabricante:

CSD18511KTTT

Product Overview

Fabricante:

Texas Instruments

DiGi Electronics Número da Peça:

CSD18511KTTT-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 110A (Ta), 194A (Tc) 188W (Ta) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)

Inventário:

641 Pcs Novo Original Em Estoque
12815540
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

CSD18511KTTT Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
NexFET™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
110A (Ta), 194A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5940 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
188W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (DDPAK-3)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
CSD18511

Folha de Dados & Documentos

Página do produto do fabricante
Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
296-47449-2
296-47449-1
296-47449-6
Pacote padrão
50

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
2 (1 Year)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
texas-instruments

CSD16415Q5T

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

epc

EPC2035

GANFET N-CH 60V 1.7A DIE

infineon-technologies

SPD03N50C3ATMA1

MOSFET N-CH 500V 3.2A TO252-3

micro-commercial-components

SI3134KL3-TP

MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006-3