CSD16570Q5BT
Número do Produto do Fabricante:

CSD16570Q5BT

Product Overview

Fabricante:

Texas Instruments

DiGi Electronics Número da Peça:

CSD16570Q5BT-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 25 V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)

Inventário:

25968 Pcs Novo Original Em Estoque
12815343
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

CSD16570Q5BT Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
NexFET™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
25 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.59mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
1.9V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
14000 pF @ 12 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.2W (Ta), 195W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-VSONP (5x6)
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
CSD16570

Folha de Dados & Documentos

Página do produto do fabricante
Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
296-38335-6
296-38335-2
296-38335-1
Pacote padrão
250

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
infineon-technologies

IPP100N04S4H2AKSA1

MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1

infineon-technologies

IRFR3708TRPBF

MOSFET N-CH 30V 61A DPAK

vishay-siliconix

TP0202K-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3

texas-instruments

CSD17556Q5BT

MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON