TSM4NB60CH
Número do Produto do Fabricante:

TSM4NB60CH

Product Overview

Fabricante:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Número da Peça:

TSM4NB60CH-DG

Descrição:

600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251S (IPAK SL)

Inventário:

12999131
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TSM4NB60CH Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
500 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-251S (IPAK SL)
Pacote / Estojo
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número do produto base
TSM4

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
1801-TSM4NB60CH
Pacote padrão
3,750

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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