Número do Produto do Fabricante:
TSM1NB60CH
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
TSM1NB60CH-DG
Descrição:
600V, 1A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventário:
12999025
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
TSM1NB60CH Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
138 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
39W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-251 (IPAK)
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
TSM1
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
1801-TSM1NB60CH
Pacote padrão
15,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SIR5112DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
IXFA26N65X3
DISCRETE MOSFET 26A 650V X3 TO26
G110N06K
MOSFET N-CH 60V 110A TO-252