Número do Produto do Fabricante:
TSM060NB06LCZ
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
TSM060NB06LCZ-DG
Descrição:
60V, 111A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 13A (Ta), 111A (Tc) 2W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
12999384
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TSM060NB06LCZ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
13A (Ta), 111A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6273 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
TSM060
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
1801-TSM060NB06LCZ
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TSM060NB06LCZ C0G
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3995
NÚMERO DA PEÇA
TSM060NB06LCZ C0G-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.74
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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